| 1.STMicroelectronics |
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- ・0.35um SiGe-BiCMOS (BiCMOS6G)：
- SiGe-Bipolar(NPN) fT=45GHz, V-PNP fT=4GHz
- ・0.25um SiGe-BiCMOS (BiCMOS7RF)：
- SiGe-Bipolar(NPN) fT=70GHz, V-PNP fT=6GHz RF用Power-Tr, LNA用低雑音Tr
- ・0.13um SiGe-BiCMOS (BiCMOS9)：
- SiGe-Bipolar(NPN) fT=160GHz, BVCEO=1.7V
- ・0.13um SiGe-BiCMOS (HCMOS9SiGe)：
- SiGe-Bipolar(NPN) fT=45GHz, BVCEO=4V
- ・0.5um BCD (BCD5)：
- 大電流用DMOS, 低速Bipolar, CMOSを混載
- ・0.5um BiCMOS (HF5CMOS)：
- CMOSとComplementary Bipolarの混載,
- Bipolar(NPN)fT=7GHz, BVCEO=15V, V-PNP fT=4.5GHz, BVCEO=18V
- ※弊社での設計実績はございませんが、90nm、45nm技術の対応も可能です。
STMが提供するASIC Solution
STMが提供するLSI Technologyリスト
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| 2.CSM(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.) |
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・0.6umBiCMOSプロセス
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| 3.NEC山形 |
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・0.5um Complementary Bipolar プロセス（DC1A：BVceo≒10V）
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使用可能なLSIファウンダリー、LSIプロセス技術